ТЕПЛОВАЯ ДЕГРАДАЦИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ТОКОВЫХ ИМПУЛЬСОВ

  • Марина Валерьевна Корячко
Ключевые слова: металлизация, деградация, полупроводниковые приборы, напряжения, импульс

Аннотация

Работа посвящена рассмотрению процессов нагрева слоев металлизации при прохождении через них одиночных токовых импульсов различной формы (длительность t=10-1000 мкс, амплитуда j<9.1010 А/м2) вплоть до развития деградационных процессов (необратимое изменение свойств структуры, связанное с образованием и последующей динамикой расплавленных зон).

Литература

1. M. van Soestbergen, A. Mavinkurve, R.T.H. Rongen, K.M.B. Jansen, L.J. Ernstb, G.Q. Zhang Theory of aluminum metallization corrosion in microelectronics. //Electrochimica Acta. 55. (2010). 5459–5469.
2. C.-K. Hu, J. Ohm, L. M. Gignac, C. M. Breslin, S. Mittal et al. Elec-tromigration in Cu(Al) and Cu(Mn) damascene lines. //Journal of Applied Physics. 111, 093722 (2012).
3. T.A. Nguyen, P.-Y. Joubert, S. Lefebvre, G. Chaplier, L. Rousseau Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique. //Microelectronics Reliability 51. (2011). 1127–1135.
4. Zhenqiang Ma and Gary S. Was. Aluminum metallization for flat-panel displays using ion-beam-assisted physical vapor deposition. //J. Mater. Res., Vol. 14, No. 10, Oct 1999. P.4051-4061.
5. J.H. Zhang, Y.C. Chan, M.O. Alam, S. Fu. Contact resistance and adhesion performance of ACF interconnections to aluminum metallization. //Microelectronics Reliability 43 (2003) 1303–1310.из отчёта
6. А.Полищук. Полупроводниковые материалы и приборы для жёстких условий эксплуатации. //Современная электроника. №4. 2006. С.20-24.
7. О.А.Герасимчук, К.А. Епифанцев, Т.В.Павлова, П.К.Скоробогатов. Электротепловое поведение элементов кмоп микросхем по технологии “кремний-на-сапфире” //Микроэлектроника. 2011. Т.40.№3. С.230-240.
8. Скворцов А.А., Орлов А.М., Зуев С.М. К вопросу диагностики деградационных процессов в системе металл–полупроводник. //Микроэлектроника. 2012. Т.41. №1. С.36-40.
9. Исследование диффузии в многослойных тонкопленочных структурах на кремнии методом контактного плавления //Письма в ЖТФ. 2009. Т.35. №13. С.41-48.
10. А. Керенцев, В. Ланин. Конструктивно-технологические особенности MOSFET полевых транзисторов.//Силовая электроника.2008.№1.С.34-36.
Выпуск
№ 3 (25) (2013)
Раздел
Технические науки

Авторы, публикующие статьи в журнале «Вектор науки Тольяттинского государственного университета», соглашаются на следующее:

1. Автор, направляя рукопись в редакцию журнала «Вектор науки Тольяттинского государственного университета», соглашается с тем, что Редакции переходят исключительные имущественные права на использование статьи (переданного в редакцию журнала материала, в т.ч. такие охраняемые объекты авторского права, как рисунки, схемы, таблицы и т.п.), в том числе на воспроизведение в печати и в сети Интернет; на распространение; на перевод материалов на английский язык.

2. Автор гарантирует наличие у него исключительных прав на использование переданного редакции материала. В случае нарушения данной гарантии и предъявления в связи с этим претензий к Редакции Автор самостоятельно и за свой счет обязуется урегулировать все претензии.

Редакция не несет ответственности перед третьими лицами за нарушение данных Автором гарантий.

3. За Автором сохраняется право использования его опубликованного материала, его фрагментов и частей в личных, в том числе научных, преподавательских, целях. Перепечатка материалов, опубликованных в журнале, другими физическими и юридическими лицами возможна только с письменного согласия Редакции, с обязательным указанием номера журнала (года издания), в котором был опубликован материал.